domov > Izdelki > Prevlečen s silicijevim karbidom > Barrel Suceptor > S SiC prevlečenim LPE kristalnim susceptorjem
S SiC prevlečenim LPE kristalnim susceptorjem

S SiC prevlečenim LPE kristalnim susceptorjem

S svojim visokim tališčem, odpornostjo proti oksidaciji in odpornosti proti koroziji je Semicorex SiC-Coated LPE Crystal Growth Susceptor idealna izbira za uporabo v aplikacijah za rast monokristalov. Njegova prevleka iz silicijevega karbida zagotavlja odlično ravnost in lastnosti porazdelitve toplote, zaradi česar je idealna izbira za okolja z visoko temperaturo.

Pošlji povpraševanje

Opis izdelka

Semicorex SiC-Coated LPE Crystal Growth Susceptor je odlična izbira za tvorbo epiksialne plasti na polprevodniških rezinah, zahvaljujoč izjemni toplotni prevodnosti in lastnostim porazdelitve toplote. Njegova SiC prevleka visoke čistosti zagotavlja vrhunsko zaščito tudi v najzahtevnejših visokotemperaturnih in korozivnih okoljih.

Naš LPE kristalni susceptor s prevleko iz SiC je zasnovan za doseganje najboljšega laminarnega vzorca pretoka plina, kar zagotavlja enakomeren toplotni profil. To pomaga preprečiti kakršno koli kontaminacijo ali difuzijo nečistoč, kar zagotavlja visokokakovostno epitaksialno rast na čipu rezin.

Pišite nam še danes, če želite izvedeti več o našem rastnem susceptorju LPE, prevlečenem s SiC.


Parametri LPE kristalnega susceptorja, prevlečenega s SiC

Glavne specifikacije prevleke CVD-SIC

SiC-CVD lastnosti

Kristalna struktura

FCC β faza

Gostota

g/cm³

3.21

Trdota

Trdota po Vickersu

2500

Velikost zrn

μm

2~10

Kemijska čistost

%

99.99995

Toplotna zmogljivost

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura sublimacije

2700

Feleksuralna moč

MPa (RT 4-točkovno)

415

Youngov modul

Gpa (upogib 4 točke, 1300 °)

430

Toplotna ekspanzija (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Toplotna prevodnost

(W/mK)

300


Lastnosti LPE kristalnega susceptorja, prevlečenega s SiC

- Tako grafitna podlaga kot plast silicijevega karbida imata dobro gostoto in lahko igrata dobro zaščitno vlogo pri visokih temperaturah in korozivnih delovnih okoljih.

- Suceptor, prevlečen s silicijevim karbidom, ki se uporablja za rast monokristalov, ima zelo visoko ravnost površine.

- Zmanjšajte razliko v koeficientu toplotnega raztezanja med grafitno podlago in plastjo silicijevega karbida, učinkovito izboljšajte trdnost lepljenja, da preprečite razpoke in razslojevanje.

- Tako grafitna podlaga kot plast silicijevega karbida imata visoko toplotno prevodnost in odlične lastnosti porazdelitve toplote.

- Visoko tališče, visoka temperaturna odpornost proti oksidaciji, odpornost proti koroziji.






Hot Tags: S SiC prevlečen LPE kristalni susceptor, Kitajska, proizvajalci, dobavitelji, tovarna, prilagojeno, razsuto, napredno, vzdržljivo

Povezana kategorija

Pošlji povpraševanje

Prosimo, oddajte svoje povpraševanje v spodnjem obrazcu. Odgovorili vam bomo v 24 urah.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept