Plošča za jedkanje ICP iz silicijevega karbida

Plošča za jedkanje ICP iz silicijevega karbidaje kompetenten pri zagotavljanju stabilne podpore in natančnega pozicioniranja rezin pri jedkanju, kar učinkovito preprečuje zmanjšanje natančnosti jedkanja zaradi vibracij ali premikanja.

Plošča za jedkanje iz silicijevega karbida ICP ima zmožnosti toplotnega upravljanja. Vrhunska toplotna prevodnostSIC keramikaDelovno okolje ICP zahteva čistost na ravni polprevodnikov. Semicorexova plošča za jedkanje iz silicijevega karbida ICP lahko v celoti izpolni to zahtevo, saj zagotavlja izjemno odpornost na kemične pline (kot sta klor in fluor) in plazmo okolij za jedkanje ICP. Ta pomembna lastnost ohranja procesno okolje čisto z zmanjšanjem količine onesnaževalcev, ki se sproščajo med jedkanjem.

Plošča za jedkanje iz silicijevega karbida ICP se zanaša na svoje odlične lastnosti trdote in trdnosti in kaže sposobnost prenašanja mehanskih obremenitev in vpliva plazme med postopkom jedkanja z minimalno deformacijo ali poškodbo. Ta sposobnost učinkovito izboljša izkoristek in učinkovitost proizvodnje polprevodniških naprav.

Delovno okolje ICP zahteva čistost na ravni polprevodnikov. Semicorexova plošča za jedkanje iz silicijevega karbida ICP lahko v celoti izpolni to zahtevo, saj zagotavlja izjemno odpornost na kemične pline (kot sta klor in fluor) in plazmo okolij za jedkanje ICP. Ta pomembna lastnost ohranja procesno okolje čisto z zmanjšanjem količine onesnaževalcev, ki se sproščajo med jedkanjem.

Semicorex daje prednost udobju uporabnika in ponuja prilagojene modele plošč za jedkanje iz silicijevega karbida ICP, ki se neopazno integrirajo z obstoječimi sistemi za jedkanje ICP in so združljive z različnimi konfiguracijami. To omogoča gladek prehod, zaradi česar je idealna rešitev za nadgradnjo za proizvajalce opreme.