SiC ICP plošča

Plošča Semicorex SiC ICP je izdelana iz silicijevega karbida, znanega po svojih izjemnih fizikalnih in kemijskih lastnostih. Njegova robustna narava zagotavlja vrhunsko odpornost na toplotni udar, oksidacijo in korozijo, ki so ključni dejavniki v težkih okoljih obdelave polprevodnikov. Uporaba materiala SiC bistveno podaljša življenjsko dobo plošče, zmanjša pogostost menjav in s tem zmanjša stroške vzdrževanja in izpade proizvodnih obratov.

Plošča SiC ICP igra ključno vlogo pri procesih plazemskega jedkanja in nanašanja, ki sta temeljna za ustvarjanje polprevodniških rezin. Med temi procesi visoka toplotna prevodnost in stabilnost plošče SiC ICP zagotavljata natančen nadzor temperature in enakomerno porazdelitev plazme, kar je bistvenega pomena za doseganje doslednih in natančnih rezultatov jedkanja in nanašanja. Ta natančnost je ključnega pomena pri proizvodnji vse bolj miniaturiziranih in kompleksnih polprevodniških naprav, kjer lahko celo manjša odstopanja povzročijo znatne težave z zmogljivostjo.

Ena izmed izstopajočih lastnosti plošče SiC ICP je njena izjemna mehanska trdnost. Prirojena trdota in togost silicijevega karbida zagotavljata odlično strukturno celovitost tudi v ekstremnih pogojih. Ta robustnost pomeni bolj stabilno in zanesljivo delovanje med visokointenzivnimi plazemskimi procesi, kar zmanjšuje tveganje okvare komponent in zagotavlja neprekinjeno, neprekinjeno delovanje. Poleg tega lahka narava materiala v primerjavi s tradicionalnimi kovinskimi primerki prispeva k lažjemu rokovanju in namestitvi, kar dodatno povečuje učinkovitost delovanja.

Poleg svojih fizikalnih lastnosti plošča SiC ICP nudi odlično kemično stabilnost. Izkazuje izjemno odpornost na reaktivne vrste plazme, ki prevladujejo v okoljih za jedkanje in nanašanje polprevodnikov. Ta odpornost zagotavlja, da plošča ohrani svojo celovitost in učinkovitost v daljših obdobjih, tudi v prisotnosti agresivnih kemikalij, ki se uporabljajo v plazemskih procesih. Posledično plošča SiC ICP zagotavlja čistejše procesno okolje, kar zmanjšuje verjetnost kontaminacije in napak v polprevodniških rezinah.