SiC končni efektor

Semicorex je obsežen proizvajalec in dobavitelj grafitnih susceptorjev, prevlečenih s silicijevim karbidom, na Kitajskem. Osredotočeni smo na industrijo polprevodnikov, kot so plasti silicijevega karbida in epitaksija polprevodnikov. Naš SiC End Effector ima dobro cenovno ugodnost in pokriva številne evropske in ameriške trge. Veselimo se, da bomo postali vaš dolgoročni partner na Kitajskem.

Pošlji povpraševanje

Opis izdelka

Semicorex SiC End Effector je izdelan iz grafita s prevleko iz silicijevega karbida (SiC), prevleka je nanesena z metodo CVD na posebne vrste grafita visoke gostote, tako da lahko deluje v visokotemperaturni peči z več kot 3000 °C v inertni atmosferi, 2200°C v vakuumu.

Naš SiC End Effector je zasnovan za doseganje najboljšega laminarnega vzorca pretoka plina, ki zagotavlja enakomernost toplotnega profila. To pomaga preprečiti kakršno koli kontaminacijo ali difuzijo nečistoč, kar zagotavlja visokokakovostno epitaksialno rast na čipu rezin.

Pišite nam še danes, če želite izvedeti več o našem SiC končnem efektorju.

Parametri SiC končnega efektorja

Glavne specifikacije prevleke CVD-SIC
SiC-CVD lastnosti
Kristalna struktura	FCC Î² faza
Gostota	g/cm³	3.21
Trdota	Trdota po Vickersu	2500
Velikost zrn	Î¼m	2~10
Kemijska čistost	%	99.99995
Toplotna zmogljivost	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sublimacije	℃	2700
Feleksuralna moč	MPa (RT 4-točkovno)	415
Youngov modul	Gpa (upogib 4 točke, 1300 °)	430
Toplotna ekspanzija (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Toplotna prevodnost	(W/mK)	300