Grafitne plošče, prevlečene s SiC

Grafitne plošče s prevleko Semicorex SiC so zasnovane tako, da se soočajo z izzivi in ​​služijo kot visoko natančen vmesnik med grelnimi elementi reaktorja in samo rezino.

1. NaprednoCVD premazTehnologija:

Učinkovitost naših plošč temelji na kakovosti plasti silicijevega karbida. Uporabljamo postopek visokotemperaturnega kemičnega naparjevanja (CVD) z uporabo predhodnih plinov visoke čistosti (običajno metiltriklorosilan, CH3SiCl3).

Kristalna struktura: Odlagamo kubično fazo $\beta$-SiC z visoko gostoto. Ta posebna kristalna struktura nudi najvišjo možno trdoto in kemično odpornost.

Tesnilo brez por: Za razliko od brizganih ali sintranih premazov, naš CVD postopek ustvarja molekularno vezano neporozno površino, ki odpravlja "plinske pasti", kar zagotavlja, da okolje reaktorja ostane na ultravisokem vakuumu brez izločanja plinov.

Površinska morfologija: prevleka je izdelana z nadzorovano površinsko hrapavostjo ($R_a$), optimizirano tako, da zagotavlja dovolj trenja za stabilno namestitev rezin, hkrati pa ostaja dovolj gladka, da prepreči ujetje delcev.

2. Združljivost mehanske zasnove in avtomatiziranega rokovanja

Sodobni epitaksijski reaktorji (kot so tisti iz AMAT, TEL ali Aixtron) se zanašajo na robotsko rokovanje. Kot je razvidno iz naših natančno obdelanih plošč, je vsaka zareza in luknja kritična za čas delovanja orodja.

Vgrajene funkcije poravnave: Naše plošče imajo zareze in pritrdilne luknje, izdelane s CNC (kot je prikazano na sliki izdelka), ki zagotavljajo popolno centriranje med vrtenjem pri visoki hitrosti.

Ploskost in vzporednost: ohranjamo globalno toleranco za ravnost < 20 μm. To je bistvenega pomena, ker vsak rahel nagib plošče povzroči temperaturni gradient čez rezino, kar ima za posledico "črte zdrsa" in neenakomerno epitaksialno rast.

Optimizacija toplotne mase: z natančnim tanjšanjem grafitnega jedra optimiziramo toplotno maso grafitnih plošč, prevlečenih s SiC, kar omogoča hitrejše čase naraščanja in umirjanja, kar neposredno poveča število serij na dan.

3. Odpornost na kemikalije v agresivnih okoljih

Epitaksialni procesi so sami po sebi jedki. NašPrevlečen s SiCGrafitne plošče so posebej testirane proti najbolj agresivnim čistilnim in procesnim plinom:

Odpornost na vodik (H2): Pri 1600 ℃ lahko vodik jedka standardne materiale. Naš β-SiC premaz ostane inerten in ščiti grafitno jedro pred strukturnim stanjšanjem.

Čiščenje s hlapi HCl: Za odstranitev "parazitske" rasti SiC med serijami reaktorji pogosto uporabljajo jedkanje s HCl. Naša debelina prevleke (>100 μm) zagotavlja precejšnjo "robo obrabe", kar omogoča na stotine ciklov čiščenja, preden je treba ploščo obnoviti.

4. Povečanje donosnosti naložbe z upravljanjem življenjskega cikla

Prehod na naše plošče visoke čistosti ponuja jasno pot do nižjih stroškov lastništva (CoO):

Izboljšanje donosa: Zmanjšana območja "izključitve robov" zaradi boljše toplotne enakomernosti.

Podaljšana življenjska doba: Naše plošče običajno trajajo 2-3x dlje kot alternativne plošče z oksidno vezavo ali standardne čistosti.

Nadzor kontaminacije: Nižje kovinske sledi (Fe, Ni, Cr < 0,1 ppm) povzročijo večjo mobilnost nosilcev v končni polprevodniški napravi.

Opomba strokovnjaka: Da bi povečali življenjsko dobo vaših grafitnih plošč, prevlečenih s SiC, priporočamo toplotni protokol "mehkega zagona" za nove plošče, da omogočite nadzorovano porazdelitev napetosti znotraj plasti CVD.