Proizvodni proces silicijevega karbida (SiC) obsega pripravo substrata in epitaksijo s strani materialov, čemur sledi načrtovanje in izdelava čipov, pakiranje naprav in končno distribucija na trge nadaljnjih aplikacij. Med temi fazami je obdelava substratnega materiala najzahtevnejši vidik industrij......
Preberi večRast kristalov je osrednji člen v proizvodnji substratov iz silicijevega karbida, osrednja oprema pa je peč za rast kristalov. Podobno kot pri tradicionalnih pečeh za rast kristalov iz kristalnega silicija struktura peči ni zelo zapletena in je v glavnem sestavljena iz telesa peči, ogrevalnega siste......
Preberi večPolprevodniški materiali tretje generacije s širokim pasovnim presledkom, kot sta galijev nitrid (GaN) in silicijev karbid (SiC), slovijo po izjemni optoelektronski pretvorbi in zmogljivosti prenosa mikrovalovnega signala. Ti materiali izpolnjujejo zahtevne zahteve visokofrekvenčnih, visokotemperatu......
Preberi večSilicijev karbid ima veliko število aplikacij v nastajajočih industrijah in tradicionalnih industrijah. Trenutno je svetovni trg polprevodnikov presegel 100 milijard juanov. Pričakuje se, da bo do leta 2025 svetovna prodaja materialov za proizvodnjo polprevodnikov dosegla 39,5 milijarde ameriških do......
Preberi večSiC čoln, okrajšava za čoln iz silicijevega karbida, je na visoke temperature odporen pripomoček, ki se uporablja v ceveh peči za prenašanje rezin med visokotemperaturno obdelavo. Zaradi izjemnih lastnosti silicijevega karbida, kot so odpornost na visoke temperature, kemično korozijo in odlična topl......
Preberi več