Silicijev karbid (SiC) je polprevodniški material s širokim pasovnim presledkom, ki je v zadnjih letih pritegnil veliko pozornosti zaradi svoje izjemne zmogljivosti pri visokonapetostnih in visokotemperaturnih aplikacijah. Ta študija sistematično raziskuje različne značilnosti kristalov SiC, vzgojen......
Preberi več4H-SiC, kot polprevodniški material tretje generacije, je znan po svoji široki pasovni vrzeli, visoki toplotni prevodnosti ter odlični kemični in toplotni stabilnosti, zaradi česar je zelo dragocen v aplikacijah z visoko močjo in visoko frekvenco.
Preberi več