- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Novice iz industrije
GaN in SiC: soobstoj ali zamenjava?
Prizadevanje za večjo gostoto moči in učinkovitost je postalo glavno gonilo inovacij v številnih panogah, vključno s podatkovnimi centri, obnovljivo energijo, potrošniško elektroniko, električnimi vozili in tehnologijami za avtonomno vožnjo. Na področju materialov s širokopasovno vrzeljo (WBG) sta g......
Preberi več
Kaj je toplotno polje?
Na področju rasti monokristalov igra porazdelitev temperature znotraj peči za rast kristalov ključno vlogo. Ta porazdelitev temperature, običajno imenovana toplotno polje, je ključni dejavnik, ki vpliva na kakovost in lastnosti kristala, ki ga gojimo. Toplotno polje je mogoče razvrstiti v dve vrsti:......
Preberi več
Tehnologija izostatičnega grafita
Tehnologija izostatičnega stiskanja je kritičen proces pri izdelavi izostatičnega grafita, ki v veliki meri določa učinkovitost končnega izdelka. Kot taka ostajajo obsežne raziskave in optimizacija proizvodnje izostatičnega grafita bistvene osrednje točke v industriji.
Preberi več
Napredek raziskav TaC prevlek na površinah materialov na osnovi ogljika
Materiali na osnovi ogljika, kot so grafit, ogljikova vlakna in kompoziti ogljik/ogljik (C/C), so znani po svoji visoki specifični trdnosti, visokem specifičnem modulu in odličnih toplotnih lastnostih, zaradi česar so primerni za široko paleto visokotemperaturnih aplikacij . Ti materiali se pogosto ......
Preberi več
Kakšne so aplikacije substrata iz galijevega nitrida (GaN)?
Galijev nitrid (GaN) je pomemben material v tehnologiji polprevodnikov, znan po svojih izjemnih elektronskih in optičnih lastnostih. GaN, kot širokopasovni polprevodnik, ima pasovno energijo približno 3,4 eV, zaradi česar je idealen za visokozmogljive in visokofrekvenčne aplikacije.
Preberi več
Tehnični izzivi v pečeh za rast kristalov iz silicijevega karbida
Peči za rast kristalov iz silicijevega karbida (SiC) so temelj proizvodnje rezin SiC. Medtem ko si delijo podobnosti s tradicionalnimi pečmi za rast silicijevih kristalov, se peči na SiC soočajo z edinstvenimi izzivi zaradi ekstremnih pogojev rasti materiala in zapletenih mehanizmov nastajanja napak......
Preberi več
