Prvo generacijo polprevodniških materialov predstavljata predvsem silicij (Si) in germanij (Ge), ki sta se začela vzpenjati v petdesetih letih prejšnjega stoletja. Germanij je bil v zgodnjih dneh prevladujoč in so ga večinoma uporabljali v nizkonapetostnih, nizkofrekvenčnih, srednje močnih tranzisto......
Preberi večEpitaksialna rast brez napak se pojavi, ko ima ena kristalna mreža skoraj enake konstante druge kristalne mreže. Rast se zgodi, ko se mrežni mesti obeh mrež na območju vmesnika približno ujemata, kar je mogoče z majhnim neujemanjem rešetk (manj kot 0,1 %). To približno ujemanje je doseženo tudi z el......
Preberi večNajosnovnejša stopnja vseh procesov je proces oksidacije. Postopek oksidacije je, da se silicijeva rezina postavi v atmosfero oksidantov, kot sta kisik ali vodna para za visokotemperaturno toplotno obdelavo (800 ~ 1200 ℃), na površini silicijeve rezine pa pride do kemične reakcije, da nastane oksidn......
Preberi večRast epitaksije GaN na substratu GaN predstavlja edinstven izziv, kljub boljšim lastnostim materiala v primerjavi s silicijem. GaN epitaksija ponuja znatne prednosti v smislu širine prepovedanega pasu, toplotne prevodnosti in razgradnega električnega polja pred materiali na osnovi silicija. Zaradi t......
Preberi več