AIN substrat

Neprimerljiva toplotna prevodnost in električna izolacija

Semicorexov AIN Substrate izstopa predvsem zaradi svoje izjemne toplotne prevodnosti, ki je ključnega pomena za obvladovanje toplote v zmogljivih elektronskih napravah. S standardno toplotno prevodnostjo pri 175 W/m·K in možnostmi za visoko (200 W/m·K) in izjemno visoko toplotno prevodnost (230 W/m·K) substrat AIN učinkovito odvaja toploto, kar zagotavlja dolgo življenjsko dobo in zanesljivost komponent. Skupaj s svojimi močnimi električnimi izolacijskimi lastnostmi je substrat AIN prednostni material za nosilce, tiskana vezja (PCB) in ohišja za komponente z visoko močjo in visoko zanesljivostjo, kot tudi razpršilnike toplote in različna elektronska vezja.

Združljivost s silicijem in termično raztezanje

Ena od izstopajočih lastnosti substrata AIN je njegov koeficient toplotnega raztezanja (CTE), ki sega od 4 do 6 x 10^-6/K med 20 in 1000 °C. Ta CTE se zelo ujema s tistim iz silicija, zaradi česar je substrat AIN idealen material za industrijo polprevodnikov in embalažo elektronskih naprav. Ta združljivost zmanjšuje tveganje toplotne obremenitve in zagotavlja brezhibno integracijo s komponentami na osnovi silicija, kar izboljša splošno zmogljivost in zanesljivost naprave.

Prilagajanje za izpolnjevanje različnih potreb

Semicorex ponuja obsežne storitve prilagajanja za substrat AIN, kar omogoča prilagojene rešitve za izpolnjevanje posebnih aplikacijskih zahtev. Ne glede na to, ali je potrebna vrsta brušenja, vrsta takojšnjega žganja, visoka odpornost na upogibanje, visoka toplotna prevodnost, vrsta poliranja ali vrsta laserskega piskanja, lahko Semicorex zagotovi podlage, ki so optimizirane za želene lastnosti delovanja. Ta raven prilagajanja zagotavlja, da stranke prejmejo substrate, ki natančno ustrezajo njihovim toplotnim, mehanskim in električnim potrebam.

Vsestranskost pri metalizaciji in elektronskih aplikacijah

Substrat AIN proizvajalca Semicorex je združljiv z različnimi tehnikami metalizacije, vključno z bakrom z direktnim prevleko (DPC), bakrom z neposrednim vezanjem (DBC), tiskanjem na debel film, tiskanjem na tanki film in aktivnim spajkanjem kovin (AMB). Zaradi svoje vsestranskosti je primeren za široko paleto elektronskih aplikacij, od visoko zmogljivih LED in integriranih vezij (IC) do bipolarnih tranzistorjev z izoliranimi vrati (IGBT) in baterijskih aplikacij. Prilagodljivost substrata različnim metodam metalizacije zagotavlja, da se lahko učinkovito uporablja v različnih elektronskih sistemih.

Ultra-tanke zasnove

Za aplikacije, kjer sta prostor in teža ključnega pomena, Semicorex ponuja substrate AIN z debelino do 0,1 mm. Ta zmožnost ultra tanke zasnove omogoča razvoj kompaktnih in lahkih elektronskih naprav brez ogrožanja zmogljivosti ali zanesljivosti. Sposobnost izdelave tako tankih substratov dodatno razširja obseg uporabe in povečuje prilagodljivost načrtovanja za inženirje in oblikovalce.

Varna in okolju prijazna alternativa BeO

V industriji polprevodnikov se aluminijev nitrid vse pogosteje uporablja kot zamenjava za berilijev oksid (BeO) zaradi svoje nenevarne narave pri strojni obdelavi. Za razliko od BeO, ki med predelavo predstavlja veliko tveganje za zdravje, je AlN varen za rokovanje in predelavo, zaradi česar je okolju prijaznejša in varnejša alternativa. Ta premik ne le izboljšuje varnost delavcev, ampak je tudi usklajen s strožjimi okoljskimi predpisi in cilji glede trajnosti.

Visoka mehanska trdnost

Mehanska trdnost substrata AIN je še ena pomembna prednost. Z dvoosno trdnostjo, ki presega 320 MPa, substrat zagotavlja vzdržljivost in odpornost na mehanske obremenitve. Ta visoka mehanska trdnost je bistvenega pomena za aplikacije, ki zahtevajo robustne in zanesljive materiale, zlasti v visokozmogljivi elektroniki in težkih delovnih okoljih. Vzdržljivost AIN substrata prispeva k dolgoživosti in zanesljivosti naprav, v katerih se uporablja.

Širok spekter uporabe

Zaradi edinstvenih lastnosti substrata AIN je primeren za širok spekter visoko zmogljivih in visoko zmogljivih aplikacij:

Visoko zmogljive LED diode: izjemne zmogljivosti toplotnega upravljanja substrata AIN zagotavljajo učinkovito delovanje in podaljšano življenjsko dobo visoko zmogljivih LED diod.

Integrirana vezja (IC): Zaradi električne izolacije in toplotne prevodnosti je substrat AIN idealna izbira za IC, saj izboljšuje zmogljivost in zanesljivost.

Bipolarni tranzistorji z izoliranimi vrati (IGBT): Sposobnost substrata, da upravlja z visoko močjo in toplotnimi obremenitvami, je ključnega pomena za delovanje IGBT-jev v različnih aplikacijah močnostne elektronike.

Uporaba baterij: v baterijskih tehnologijah substrat AIN zagotavlja učinkovito toplotno upravljanje, izboljšuje varnost in zmogljivost.

Piezoelektrične aplikacije: Mehanska trdnost in toplotne lastnosti substrata podpirajo visoko natančne piezoelektrične naprave.

Motorji visoke moči: Toplotna prevodnost in vzdržljivost substrata AIN povečata učinkovitost in življenjsko dobo motorjev visoke moči.

Kvantno računalništvo: Zaradi natančnega toplotnega upravljanja in lastnosti električne izolacije je substrat AIN primeren za napredne aplikacije kvantnega računalništva.