Induktivno sklopljena plazma (ICP)

Semicorexov susceptor, prevlečen s silicijevim karbidom, za induktivno sklopljeno plazmo (ICP) je zasnovan posebej za postopke obdelave rezin pri visokih temperaturah, kot sta epitaksija in MOCVD. S stabilno visokotemperaturno odpornostjo proti oksidaciji do 1600 °C naši nosilci zagotavljajo enakomerne toplotne profile, laminarne vzorce pretoka plina in preprečujejo kontaminacijo ali difuzijo nečistoč.

Pošlji povpraševanje

Opis izdelka

Potrebujete nosilec za rezine, ki lahko prenese visokotemperaturna in močna kemična okolja? Ne iščite dlje od Semicorexovega suceptorja, prevlečenega s silicijevim karbidom, za induktivno sklopljeno plazmo (ICP). Naši nosilci imajo fino prevleko iz kristalov SiC, ki zagotavlja vrhunsko toplotno odpornost, enakomerno toplotno enotnost in trajno kemično odpornost.
Pišite nam še danes, če želite izvedeti več o našem suceptorju SiC za induktivno sklopljeno plazmo (ICP).

Parametri susceptorja za induktivno sklopljeno plazmo (ICP)

Glavne specifikacije prevleke CVD-SIC
SiC-CVD lastnosti
Kristalna struktura	FCC β faza
Gostota	g/cm³	3.21
Trdota	Trdota po Vickersu	2500
Velikost zrn	μm	2~10
Kemijska čistost	%	99.99995
Toplotna zmogljivost	J kg-1 K-1	640
Temperatura sublimacije	℃	2700
Feleksuralna moč	MPa (RT 4-točkovno)	415
Youngov modul	Gpa (upogib 4 točke, 1300 ℃)	430
Toplotna ekspanzija (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Toplotna prevodnost	(W/mK)	300