Enokristalni silicijev Epi susceptor

Single-crystal Silicon Epi Susceptor je bistvena komponenta, zasnovana za postopke epitaksije Si-GaN, ki jo je mogoče prilagoditi individualiziranim specifikacijam in željam, kar zagotavlja rešitev po meri, ki se popolnoma ujema s posebnimi zahtevami. Ne glede na to, ali vključuje spremembe dimenzij ali prilagoditve debeline prevleke, imamo sposobnost načrtovanja in dobave izdelka, ki se prilagaja različnim procesnim parametrom, s čimer optimiziramo zmogljivost za ciljne aplikacije. Semicorexova zavezanost vodilni kakovosti na trgu, povezana s konkurenčnimi fiskalnimi vidiki, utrjuje našo željo po vzpostavitvi partnerstev pri izpolnjevanju vaših zahtev za transport polprevodniških rezin.

Pošlji povpraševanje

Opis izdelka

Susceptorji pri obdelavi epitaksialne rasti zahtevajo sposobnost, da prenesejo povišane temperature in prenesejo stroge postopke kemičnega čiščenja. Single-crystal Silicon Epi Susceptor je bil natančno zasnovan tako, da ustreza posebej tem zahtevnim zahtevam, ki se pojavljajo pri aplikacijah opreme za epitaksijo.

Ti suceptorji se ponašajo s konstrukcijo, ki vsebuje grafit, prevlečen s silicijevim karbidom (SiC) visoke čistosti, ki daje neprimerljivo odpornost proti vročini in zagotavlja enakomerno porazdelitev toplote za dosledno debelino in odpornost plasti epitaksije.

Poleg tega izkazuje enokristalni silicij Epi susceptor izjemno vzdržljivost proti močnim kemičnim čistilnim sredstvom. Uporaba fine SiC kristalne prevleke dodatno prispeva k neokrnjeni, gladki površini, kar je izrednega pomena za učinkovito rokovanje, saj neomadežene rezine pridejo v stik s suceptorjem na številnih točkah po celotni površini.

Uporaba Single-crystal Silicon Epi Susceptor zagotavlja neomajno zanesljivost in podaljšano življenjsko dobo, kar zmanjša potrebo po pogostih zamenjavah in posledično zmanjša čas izpada in stroške vzdrževanja. Njegova robustna konstrukcija in izjemne operativne zmogljivosti znatno prispevajo k povečani učinkovitosti procesa, s čimer na koncu povečajo produktivnost in stroškovno učinkovitost na področju proizvodnih postopkov polprevodnikov.