Pladenj za rezine Semicorex SiC je ključnega pomena v postopku kovinsko-organskega kemičnega naparjevanja (MOCVD), ki je natančno zasnovan za podporo in ogrevanje polprevodniških rezin med bistvenim korakom nanašanja epitaksialne plasti. Ta pladenj je sestavni del proizvodnje polprevodniških naprav, kjer je natančnost rasti plasti izrednega pomena. V podjetju Semicorex smo predani izdelavi in dobavi visoko zmogljivega pladnja za rezine SiC, ki združuje kakovost s stroškovno učinkovitostjo.
Pladenj za rezine Semicorex SiC, ki deluje kot ključni element v aparatu MOCVD, drži in termično upravlja enokristalne podlage. Njegove izjemne karakteristike delovanja, vključno z vrhunsko toplotno stabilnostjo in enakomernostjo ter zaviranjem korozije itd., so ključne za visokokakovostno rast epitaksialnih materialov. Ti atributi zagotavljajo dosledno enotnost in čistost v slojih tankega filma.
Pladenj za rezine SiC, izboljšan s prevleko iz SiC, bistveno izboljša toplotno prevodnost, kar omogoča hitro in enakomerno porazdelitev toplote, ki je bistvena za enakomerno epitaksialno rast. Sposobnost pladnja za rezine SiC, da učinkovito absorbira in oddaja toploto, ohranja stabilno in dosledno temperaturo, ki je bistvena za natančno nanašanje tankih filmov. Ta enotna porazdelitev temperature je ključnega pomena za izdelavo visokokakovostnih epitaksialnih plasti, ki so bistvenega pomena za delovanje naprednih polprevodniških naprav.
Zanesljivo delovanje in dolga življenjska doba pladnja za rezine SiC zmanjšata pogostost zamenjav, s čimer zmanjšata čas izpadov in stroške vzdrževanja. Njegova robustna konstrukcija in vrhunske operativne zmogljivosti povečujejo učinkovitost procesa, s čimer povečujejo produktivnost in stroškovno učinkovitost v proizvodnji polprevodnikov.
Poleg tega ima pladenj za rezine Semicorex SiC odlično odpornost proti oksidaciji in koroziji pri visokih temperaturah, kar dodatno zagotavlja njegovo vzdržljivost in zanesljivost. Njegova visoka toplotna vzdržljivost, ki jo zaznamuje znatno tališče, mu omogoča, da prenese stroge toplotne pogoje, ki so značilni za postopke izdelave polprevodnikov.