Receptor epitaksije SiC

Natančno izdelan in zasnovan za zanesljivost ima SiC Epitaxy Susceptor visoko odpornost proti koroziji, visoko toplotno prevodnost, odpornost na toplotni šok in visoko kemično stabilnost, kar mu omogoča učinkovito delovanje v epitaksialni atmosferi. Zato se SiC Epitaxy Susceptor šteje za jedro in ključna komponenta v opremi MOCVD. Semicorex je zavezan zagotavljanju kakovostnih izdelkov po konkurenčnih cenah, veselimo se, da bomo postali vaš dolgoročni partner na Kitajskem.

Pošlji povpraševanje

Opis izdelka

SiC epitaksija susceptor je kritična komponenta, ki se uporablja v opremi MOCVD za podporo in ogrevanje monokristalnih substratov. Njegovi vrhunski parametri delovanja, kot sta toplotna stabilnost in toplotna enakomernost, igrajo odločilno vlogo pri kakovosti rasti epitaksialnih materialov, saj zagotavljajo visoko raven enakomernosti in čistosti v tankoslojnih materialih.

SiC Epitaxy Susceptor ima odlično gostoto, ki zagotavlja učinkovito zaščito pri visokih temperaturah in korozivnih delovnih okoljih. Poleg tega njegova visoka raven ravnosti površine popolnoma izpolnjuje zahteve za rast monokristala na površini substrata.

Minimalni koeficient razlik v toplotnem raztezanju v SiC Epitaxy Susceptor znatno poveča trdnost vezi med epitaksialnim substratom in materialom za prevleko, s čimer se zmanjša verjetnost razpok po izkušnji visokotemperaturnega termičnega cikla.

Hkrati ima visoko toplotno prevodnost, kar omogoča hitro in enakomerno porazdelitev toplote za rast odrezkov. Poleg tega njegovo visoko tališče, temperaturna odpornost, odpornost proti oksidaciji in odpornost proti koroziji omogočajo stabilno delovanje v visokotemperaturnih in korozivnih delovnih okoljih.

Kot ključna komponenta v reakcijski komori opreme MOCVD mora SiC epitaksija susceptor imeti prednosti, kot so visoka temperaturna odpornost, enakomerna toplotna prevodnost, dobra kemična stabilnost in močna odpornost na toplotni šok. Semicorex SiC Epitaxy Susceptor izpolnjuje vse te zahteve.