Plošča s sic

Posemikalna plošča, prevlečena s SiC, je zasnovana visokozmogljiva komponenta, ki je posebej zasnovana za opremo za epitaksialno (EPI), ki zahteva stabilne, visoke čistosti za ustvarjanje kakovostnih filmov. Je visoko trdno grafitno jedro, enakomerno in gosto prevlečeno s silikonskim karbidom (sic), ki dosega neprimerljivo toplotno in mehansko upornost visoko trdnega grafita v kombinaciji s kemično stabilnostjo in površinsko trajnostjo SIC. Posemonska plošča, prevlečena s sic, je zgrajena tako, da vzdržuje skrajne strogost epitaksialnih procesov za sestavljene polprevodnike, vključno s SIC in GAN.

Grafitno jedro plošče, prevlečene s sic, ima izjemno toplotno prevodnost, nizko gostoto in vrhunsko odpornost na toplotni udar. Zmerno nizka toplotna masa grafitnega jedra, uravnoteženo z odlično toplotno prevodnostjo, omogoča hitro porazdelitev toplote enakomerno v procesu, kjer se temperaturni cikli odvijajo pri visoki hitrosti. Zunanja plast siC, ki jo odlaga kemično odlaganje hlapov (CVD), ponuja zaščitno pregrado, ki poveča trdoto, korozijsko odpornost in kemično inertnost, ki nudi takojšnjo vrednost pri omejevanju ali preprečevanju nastajanja delcev. Ta trdna elementarna površina v kombinaciji s fizikalnimi značilnostmi grafitne baze zagotavlja zelo visoko procesno okolje čistosti z zelo malo ali brez tveganja za nastajanje napak na epitaksialnih plasteh.

Dimenzionalna natančnost in površinska plodnost sta tudi bistveni atributi plošče, prevlečene s sic. Vsaka plošča je obdelana in prevlečena s tesnimi tolerancami, da se zagotovi enakomernost in ponovljivost pri uspešnosti procesa. Gladka in inertna površina zmanjšuje nukleacijska mesta za neželeno odlaganje filma in izboljša enakomernost rezin po površini plošče.

V epitaksialnih reaktorjih se plošča, prevlečena s sic, običajno izvaja kot obstrestnik, oblogo ali termični ščit, da se da strukturo in izvede kot medij za prenos toplote v rezino, ki se predela. Stabilna zmogljivost bo neposredno vplivala na kakovost kristalov, donos in produktivnost.