SiC sod za silikonsko epitaksijo

Semicorex SiC Barrel For Silicon Epitaxy je izdelan iz grafitnega materiala, prevlečenega s silicijevim karbidom (SiC). Ta edinstvena konstrukcija zagotavlja odlično odpornost na toplotne šoke in kemično razgradnjo, podaljšuje življenjsko dobo suceptorja in ohranja zanesljivost procesa.

Napredna SiC prevleka na SiC cevi za silikonsko epitaksijo zagotavlja vrhunsko toplotno prevodnost in porazdelitev toplote, kar spodbuja enakomerne temperaturne profile po celotnem suceptorju. To izboljša nadzor procesa, minimizira toplotne gradiente in zagotavlja dosledno rast epitaksialne plasti, kar ima za posledico visokokakovostne silicijeve filme z izjemno enakomernostjo in čistostjo.

Naš SiC-jev sod za silikonsko epitaksijo je mogoče prilagoditi posebnim zahtevam in željam. Od prilagoditev velikosti do variacij debeline prevleke, nudimo prilagodljivost pri oblikovanju za prilagajanje različnim procesnim parametrom in optimizacijo delovanja za posebne aplikacije.

Naš SiC-jev sod za silicijevo epitaksijo ponuja zanesljivost in dolgo življenjsko dobo ter zmanjšuje čas izpada in stroške vzdrževanja, povezane s pogostimi zamenjavami. Njegova robustna konstrukcija in izjemna zmogljivost prispevata k izboljšani učinkovitosti procesa, kar na koncu poveča produktivnost in stroškovno učinkovitost za proizvodne postopke polprevodnikov.