Nosilec epitaksije GaN

Semicorex GaN Epitaxy Carrier je ključnega pomena pri proizvodnji polprevodnikov, saj vključuje napredne materiale in natančno inženirstvo. Ta nosilec, ki ga odlikuje prevleka CVD SiC, ponuja izjemno vzdržljivost, toplotno učinkovitost in zaščitne zmogljivosti, s čimer se je uveljavil kot izstopajoč v industriji. V podjetju Semicorex smo predani izdelavi in dobavi visoko zmogljivega nosilca epitaksije GaN, ki združuje kakovost s stroškovno učinkovitostjo.

Pošlji povpraševanje

Opis izdelka

Semicorex GaN Epitaxy Carrier je odličen pri varnem transportu rezin v peči, medtem ko je zasnovan za epitaksialne postopke rezin. Nosilec epitaksije GaN je ključnega pomena za doseganje visokokakovostnih, ponovljivih tankih filmov in epitaksialnih plasti, potrebnih za izdelavo naprednih elektronskih in optoelektronskih naprav.

Grafitni substrat nosilca epitaksije GaN je izboljšan z najsodobnejšo prevleko iz silicijevega karbida (SiC) s kemičnim naparevanjem (CVD). Ta plast SiC je natančno nanešena s kemičnim naparjevanjem, kar zagotavlja robustno zaščito pred kemičnimi reakcijami in obrabo med postopkom epitaksije. Poleg tega SiC prevleka GaN Epitaxy Carrier izboljša toplotne lastnosti nosilca, kar omogoča učinkovito in enakomerno segrevanje rezin. Tako enakomerno segrevanje je bistvenega pomena za izdelavo doslednih in visokokakovostnih epitaksialnih plasti na polprevodniških rezinah.

Semicorex GaN Epitaxy Carrier, ki ga je mogoče prilagoditi različnim velikostim polprevodniških rezin, je vsestranska rešitev za različne proizvodne potrebe. Ne glede na to, ali so potrebne posebne velikosti, oblike ali debeline prevleke, naša ekipa sodeluje s strankami pri razvoju rešitve, ki ustreza njihovim natančnim specifikacijam in optimizira zmogljivost za njihove edinstvene aplikacije.