6'' nosilec rezin za Aixtron G5

Nosilec rezin Semicorex 6'' za Aixtron G5, pogosto imenovan tudi suceptorji, igra bistveno vlogo, saj varno drži polprevodniške rezine med visokotemperaturno obdelavo. Susceptorji zagotavljajo, da rezine ostanejo v fiksnem položaju, kar je ključnega pomena za enakomerno nanašanje plasti:

Toplotno upravljanje:

6'' nosilec za rezine za Aixtron G5 je zasnovan tako, da zagotavlja enakomerno ogrevanje in hlajenje po površini rezin, kar je ključnega pomena za postopke epitaksialne rasti, ki se uporabljajo za ustvarjanje visokokakovostnih polprevodniških plasti.

Epitaksialna rast:

Sloji SiC in GaN:

Platforma Aixtron G5 se uporablja predvsem za epitaksialno rast plasti SiC in GaN. Te plasti so temeljne pri izdelavi tranzistorjev z visoko mobilnostjo elektronov (HEMT), LED in drugih naprednih polprevodniških naprav.

Natančnost in enotnost:

Visoko natančnost in enotnost, ki sta potrebni v procesu epitaksialne rasti, omogočajo izjemne lastnosti 6'' nosilca rezin za Aixtron G5. Nosilec pomaga doseči strogo debelino in enotnost sestave, ki je potrebna za visoko zmogljive polprevodniške naprave.

Prednosti:

Visoko temperaturna stabilnost:

Toleranca na ekstremne temperature:

6'' nosilec rezin za Aixtron G5 lahko prenese izjemno visoke temperature, ki pogosto presegajo 1600°C. Ta stabilnost je ključnega pomena za epitaksialne procese, ki zahtevajo vzdrževanje visokih temperatur dalj časa.

Toplotna celovitost:

Sposobnost 6'' Wafer Carrier za Aixtron G5, da ohrani strukturno celovitost pri tako visokih temperaturah, zagotavlja dosledno delovanje in zmanjšuje tveganje toplotne degradacije, ki bi lahko ogrozila kakovost polprevodniških plasti.

Odlična toplotna prevodnost:

Porazdelitev toplote:

Visoka toplotna prevodnost SiC omogoča učinkovit prenos toplote po površini rezine, kar zagotavlja enoten temperaturni profil. Ta enotnost je ključnega pomena za izogibanje toplotnim gradientom, ki lahko vodijo do napak in neenakomernosti v epitaksialnih plasteh.

Izboljšan nadzor procesa:

Izboljšano toplotno upravljanje omogoča boljši nadzor nad procesom epitaksialne rasti, kar omogoča proizvodnjo kakovostnejših polprevodniških plasti z manj napakami.

Kemična odpornost:

Združljivost z jedkim okoljem:

6'' Wafer Carrier za Aixtron G5 zagotavlja izjemno odpornost na korozivne pline, ki se običajno uporabljajo v CVD procesih, kot sta vodik in amoniak. Ta odpornost podaljša življenjsko dobo nosilcev rezin z zaščito grafitne podlage pred kemičnimi napadi.

Zmanjšani stroški vzdrževanja:

Vzdržljivost 6'' Wafer Carrier za Aixtron G5 zmanjša pogostost vzdrževanja in zamenjav, kar vodi do nižjih operativnih stroškov in podaljšanega časa delovanja za opremo Aixtron G5.

Nizek koeficient toplotnega raztezanja (CTE):

Zmanjšan toplotni stres:

SiC-jev nizek CTE pomaga zmanjšati toplotni stres med hitrimi cikli segrevanja in ohlajanja, ki so del epitaksialnih procesov rasti. To zmanjšanje toplotne obremenitve zmanjša verjetnost pokanja ali zvijanja rezin, kar lahko povzroči okvaro naprave.

Združljivost z opremo Aixtron G5:

Oblikovanje po meri:

Semicorex 6'' Wafer Carrier za Aixtron G5 je posebej zasnovan tako, da je združljiv z opremo Aixtron G5, kar zagotavlja optimalno delovanje in brezhibno integracijo.

Največja zmogljivost:

Ta združljivost povečuje zmogljivost in učinkovitost sistema Aixtron G5, kar mu omogoča, da izpolnjuje stroge zahteve sodobnih proizvodnih procesov polprevodnikov.