SICOI rezina

MI SMOoblatje kompozitni polprevodniški material s troslojno strukturo, ki je izdelan po edinstveni metodi.

Spodnja plast strukture rezine SICOI je silikonski substrat, ki zagotavlja zanesljivo mehansko podporo za zagotavljanje strukturne stabilnosti rezine SICOI. Njegova optimalna toplotna prevodnost zmanjšuje vpliv akumulacije toplote na delovanje polprevodniških naprav, kar jim omogoča dolgotrajno normalno delovanje tudi pri visoki moči. Poleg tega je silicijev substrat združljiv z opremo in stroji, ki se trenutno uporabljajo v proizvodnji polprevodnikov. To uspešno znižuje proizvodne stroške in kompleksnost ter hkrati pospešuje raziskave in razvoj izdelkov ter množično proizvodnjo.

Izolacijska oksidna plast, ki se nahaja med silicijevim substratom in plastjo naprave SiC, je srednja plast rezine SICOI. Z izolacijo tokovnih poti med zgornjo in spodnjo plastjo izolacijska oksidna plast učinkovito zmanjša tveganje kratkega stika in zagotavlja stabilno električno delovanje polprevodniških naprav. Zaradi nizke absorpcijske lastnosti lahko znatno zmanjša optično sipanje in izboljša učinkovitost prenosa optičnega signala polprevodniških naprav.

Plast naprave iz silicijevega karbida je temeljna funkcionalna plast strukture rezin SICOI. Bistven je za doseganje visokozmogljivih elektronskih, fotonskih in kvantnih funkcij zaradi izjemne mehanske trdnosti, visokega lomnega količnika, nizke optične izgube in izjemne toplotne prevodnosti.

Uporaba rezin SICOI:

1. Za proizvodnjo nelinearne optične naprave, kot je optični frekvenčni glavnik.

2. Za proizvodnjo integriranih fotonskih čipov.

3.Za izdelavo elektrooptičnega modulatorja

4. Za proizvodnjo naprav močnostne elektronike, kot so stikala za vklop in naprave RF.

5. Za proizvodnjo senzorjev MEMS, kot sta merilnik pospeška in žiroskop.