Grafitni lončki, prevlečeni s SiC

Nameščen v središču visokotemperaturnih peči za rast kristalov,Prevlečen s SiCgrafitni lončki delujejo v povezavi z grelniki, toplotnoizolacijskimi rokavi, cevmi za vodenje toka in gredi lončka, da tvorijo celoten sistem toplotnega polja. Ta sistem toplotnega polja lahko vzdržuje stabilno visokotemperaturno okolje, ki je bistveno za rast kristalov.

Proizvodnja prevlečenih s SiCgrafitni lončkiobičajno se začne z uporabo napredne tehnologije kemičnega nanašanja s paro za enakomerno nanašanje gostotesilicijev karbidnanos na površino oblikovanega grafitnega substrata. Sestavljen iz visoke čistostigrafitsubstrat in gosto prevleko iz silicijevega karbida tvori grafitni lonček, prevlečen s SiC, sinergistično strukturo, ki združuje toplotno prevodnost grafita s korozijsko odpornostjo silicijevega karbida.

Metoda Czochralski je univerzalna industrijska tehnika za rast kristalov. Ta tehnika bo izvajala centrifugalno silo na lonček med proizvodnjo kristala. Vrhunska upogibna trdnost in žilavost grafitnih lončkov, prevlečenih s SiC, lahko preprečita zlom ali razpoke med vrtenjem pri visoki hitrosti, kar učinkovito zmanjša prekinitve proizvodnje zaradi poškodb lončka. Poleg tega morajo biti lončki med tem procesom v kratkem času podvrženi drastičnim temperaturnim nihanjem. Zahvaljujoč izjemni odpornosti na toplotne udarce lahko grafitni lončki, prevlečeni s SiC, zmanjšajo strukturne poškodbe, povezane s toplotno obremenitvijo, zagotovijo stabilnost svoje oblike in s tem zmanjšajo napake pri rasti kristalov, ki jih povzroči deformacija lončka.

Pod visokimi temperaturami bodo grafitni lončki, prevlečeni s SiC, tvorili gosto zaščitno plast silicijevega karbida. Ta zaščitna plast lahko izolira grafitno podlago od silicijeve pare in staljenega silicija, s čimer zmanjša tveganje korozije grafitne podlage in onesnaženja s kristali, povezano z luščenjem prevleke. Zato lahko Semicorexovi grafitni lončki, prevlečeni s SiC, vzdržijo različna kompleksna visokotemperaturna korozijska okolja za daljša obdobja dejanskega delovanja. To zagotavlja dosledno sestavo kristalov in zmanjšuje stopnje napak, kar je oboje bistveno za proizvodnjo visokokakovostnih polprevodniških kristalov.