Polprevodniški kvarčni lončki

Polprevodniški razred Semicorexkvarčni lončkiso izdelani po postopku taljenja z električnim oblokom. Njihova troslojna kompozitna struktura obsega notranjo prozorno plast visoke čistosti, vmesno prehodno plast in zunanjo mehurčasto kompozitno plast. Ti sloji delujejo sinergijsko, da ustvarijo vrhunsko mehansko trdnost, optimizirano učinkovitost toplotnega upravljanja in stroškovno učinkovitost.

Prednosti polprevodniških kvarčnih lončkov

1. Visoka čistost:

Polprevodniški kvarčni lončki Semiconductorex imajo izjemno visoko čistost brez primere, pri čemer je vsebnost nečistoč (npr. Al, Fe, Ca, Mg) strogo nadzorovana na ravni ppm ali celo ppb. Ta nadzor čistosti se učinkovito izogne ​​kontaminaciji z nečistočami med postopkom rasti monokristalnega silicija in tako zaščiti električno zmogljivost in izkoristek polprevodniških silicijevih rezin iz vira.

2. Odlična odpornost na visoke temperature

Polprevodniški razred Semicorexkremenlončke je mogoče stalno uporabljati pri 1100 ℃ visokotemperaturnem okolju in lahko prenesejo kratkotrajne visoke temperature 1450 ℃. Zahvaljujoč tej lastnosti lahko kremenčevi lončki Semicorex polprevodniškega razreda v celoti izpolnjujejo visokotemperaturne zahteve proizvodnje polprevodnikov, s čimer se v veliki meri izognejo okvari pri vlečenju kristala, ki jo povzroči visokotemperaturna deformacija ali mehčanje.

3. Izjemna toplotna stabilnost

Polprevodniški kremenčevi lončki Semicorex imajo nizek koeficient toplotnega raztezanja, kar jim omogoča ohranjanje strukturne stabilnosti med hitrim segrevanjem ali ohlajanjem in zmanjšuje razpoke ali deformacije zaradi toplotne obremenitve. Poleg tega lahko polprevodniški kvarčni lončki Semicorex s svojo odlično toplotno prevodnostjo pomagajo doseči enakomerno in stabilno porazdelitev temperaturnega polja, s čimer izboljšajo kakovost in konsistenco monokristalnih silicijevih palic.

4. Nizka vsebnost mehurčkov v notranji plasti

Notranja prozorna plast polprevodniškega kvarčnega lončka Semicorex lahko s strogim nadzorom doseže izjemno nizko gostoto mehurčkov. To lahko zmanjša motnje širjenja in razpoke mehurčkov med delovanjem na rast monokristalnega silicija, s čimer se zmanjša stopnja napak monokristalnih silicijevih palic.