Galijev nitrid (GaN) je pomemben material v tehnologiji polprevodnikov, znan po svojih izjemnih elektronskih in optičnih lastnostih. GaN, kot širokopasovni polprevodnik, ima pasovno energijo približno 3,4 eV, zaradi česar je idealen za visokozmogljive in visokofrekvenčne aplikacije.
Preberi večSilicijev karbid (SiC), ugledna strukturna keramika, je znan po svojih izjemnih lastnostih, vključno z visokotemperaturno trdnostjo, trdoto, modulom elastičnosti, odpornostjo proti obrabi, toplotno prevodnostjo in odpornostjo proti koroziji. Zaradi teh lastnosti je primeren za široko paleto aplikaci......
Preberi večPeči za rast kristalov iz silicijevega karbida (SiC) so temelj proizvodnje rezin SiC. Medtem ko si delijo podobnosti s tradicionalnimi pečmi za rast silicijevih kristalov, se peči na SiC soočajo z edinstvenimi izzivi zaradi ekstremnih pogojev rasti materiala in zapletenih mehanizmov nastajanja napak......
Preberi večGrafit je ključnega pomena pri proizvodnji polprevodnikov iz silicijevega karbida (SiC), ki so znani po svojih izjemnih toplotnih in električnih lastnostih. Zaradi tega je SiC idealen za aplikacije z visoko močjo, visoko temperaturo in visoko frekvenco. V proizvodnji polprevodnikov SiC se grafit pog......
Preberi večKremen visoke čistosti ima izjemne fizikalne in kemijske lastnosti. Njegova inherentna kristalna struktura, oblika in razlike v mreži prispevajo k izjemnim značilnostim, kot so odpornost na visoke temperature, odpornost proti koroziji, odpornost proti obrabi, nizek koeficient toplotnega raztezanja, ......
Preberi več