Uporaba GaN

Obstaja veliko vrst galijevega nitrida (GaN), sGalijev nitrid na siliciju o katerem se največ razpravlja. Ta tehnologija vključuje gojenje GaN materialov neposredno na silicijevem substratu. V primerjavi s tradicionalnimi substrati GaN,Galijev nitrid na siliciju ima posebne tehnične lastnosti. Omogoča nizkocenovno obsežno proizvodnjo z uporabo obstoječe opreme za obdelavo silicija in proizvodnih procesov, kar ji daje pomemben tržni potencial.

Prednosti GaN:

- Nižji vklopni upor, kar vodi do zmanjšanih izgub prevodnosti

- Večje preklopne hitrosti, kar ima za posledico manjše preklopne izgube

- Manjša kapacitivnost, kar zmanjša izgube med polnjenjem in praznjenjem

- Manjša moč, potrebna za pogon vezja

- Manjše naprave, ki zmanjšajo odtis rešitve na tiskanih vezjih

- Nižji skupni stroški

Galijev nitridima različne scenarije uporabe. Na področju energetske elektronike se pogosto uporablja v visokofrekvenčnih stikalnih napajalnikih, solarnih pretvornikih in polnilnikih električnih vozil. Zaradi svoje visoke moči in učinkovitosti ponuja galijev nitrid izboljšane zmogljivosti pretvorbe energije in krmiljenja, kar odpira nove možnosti v energetski elektroniki.

Drugo ključno področje uporabe so komunikacije, zlasti z razvojem tehnologije 5G. Galijev nitrid služi kot "zmogljiv motor dobe 5G." V brezžičnih komunikacijah 5G lahko zagotavlja višje frekvence in širše pasovne širine, kar ima za posledico višje hitrosti in stabilnejše signale. To je ključnega pomena za doseganje hitre brezžične komunikacije z nizko zakasnitvijo.

Poleg tegagalijev nitridse v veliki meri uporablja pri razsvetljavi, laserjih, radarskih sistemih in upravljanju z energijo. Ker tehnologija dozoreva in stroški še naprej upadajo, se pričakuje, da bo imela vse pomembnejšo vlogo na več področjih.