Silicijev material je trden material z določenimi polprevodniškimi električnimi lastnostmi in fizično stabilnostjo ter zagotavlja podporo substrata za kasnejši proizvodni proces integriranega vezja. Je ključni material za integrirana vezja na osnovi silicija. Več kot 95 % polprevodniških naprav in v......
Preberi večTa članek obravnava uporabo in prihodnjo pot čolnov iz silicijevega karbida (SiC) v povezavi s čolni iz kremena v industriji polprevodnikov, posebej pa se osredotoča na njihovo uporabo v proizvodnji sončnih celic.
Preberi večEpitaksialna rast rezin galijevega nitrida (GaN) je kompleksen postopek, ki pogosto uporablja dvostopenjsko metodo. Ta metoda vključuje več kritičnih stopenj, vključno s pečenjem pri visoki temperaturi, rastjo vmesne plasti, rekristalizacijo in žarjenjem. Z natančnim nadzorom temperature v teh stopn......
Preberi večTako epitaksialne kot difuzne rezine so bistveni materiali v proizvodnji polprevodnikov, vendar se bistveno razlikujejo v svojih postopkih izdelave in ciljnih aplikacijah. Ta članek se poglobi v ključne razlike med temi vrstami rezin.
Preberi večSubstrat iz silicijevega karbida je sestavljen polprevodniški monokristalni material, sestavljen iz dveh elementov, ogljika in silicija. Ima značilnosti velikega pasovnega razmika, visoke toplotne prevodnosti, visoke kritične razgradne poljske jakosti in visoke stopnje odnašanja nasičenosti elektron......
Preberi več