Keramične elektrostatične vpenjalne glave

Keramične elektrostatične vpenjalne glaveso natančne komponente, ki uporabljajo elektrostatično polje, ustvarjeno med elektrodami in rezinami, za vpenjanje in pritrjevanje rezin. Široko se uporabljajo na področjih, kot so polprevodniki, ploski zasloni in optika, in so ključne komponente vrhunske opreme, kot so naprave PVD, stroji za jedkanje in ionski implantatorji.

V primerjavi s tradicionalnimi mehanskimi in vakuumskimi vpenjalnimi glavami imajo keramične elektrostatične vpenjalne glave številne prednosti na področju proizvodnje polprevodnikov. Ta keramična elektrostatična vpenjalna glava uporablja statično elektriko, da splošči in enakomerno drži rezine na svoji površini. Ta enotna adsorpcijska sila lahko adsorbirani predmet ohranja razmeroma ravno in se izogibaoblatupogibanje ali deformacijo, ki jo lahko povzročijo tradicionalne mehanske vpenjalne glave ozvakuumske vpenjalne glavein zagotavljanje, da rezina ohranja natančnost obdelave, primerno za visoko natančne polprevodniške procese.

Nekatere keramične elektrostatične vpenjalne glave imajo vgrajene funkcije ogrevanja, ki lahko natančno nadzorujejo temperaturo rezin s plinom za povratno pihanje ali notranjimi grelnimi elektrodami, prilagodijo se strogim temperaturnim zahtevam različnih procesov in izboljšajo stabilnost obdelave.

Za razliko od mehanskih vpenjal, keramične elektrostatične vpenjalne glave zmanjšajo mehanske gibljive dele, zmanjšajo vpliv kontaminantov v obliki delcev na kakovost rezin, učinkovito zaščitijo čistočo površine rezin in izboljšajo izkoristek izdelka.

Keramične elektrostatične vpenjalne glave nudijo široko združljivost. Lahko sprejmejo rezine različnih velikosti in materialov, vključno s silicijem, galijevim arzenidom in silicijevim karbidom, ki izpolnjujejo različne potrebe proizvodnje polprevodnikov.

Stabilno lahko delujejo v visokovakuumskih okoljih, kot sta ionska implantacija in CVD, s čimer presežejo omejitve tradicionalnih vakuumskih vpenjal, ki ne morejo absorbirati rezin v vakuumskem okolju, in popolnoma izpolnjujejo procesne zahteve ionske implantacije, kemičnega naparjevanja (CVD) in drugih procesov v proizvodnji polprevodnikov.