C/C kompozitne nosilne palice za lonček

Podporne palice iz kompozitnega lončka C/C so običajno nameščene v nižjem območju visokotemperaturnih peči za rast monokristalov in tvorijo učinkovit in stabilen sistem toplotnega polja za rast monokristalnega silicija s temi nepogrešljivimi komponentami, kot je npr.C/C držala za lončke, C/ClončkiinC/C izolacijski cilindri. Zagotavljajo lahko stabilno podporo za lonček in notranji staljeni silicij ter dosežejo natančno vrtenje in dviganje lončka za izpolnjevanje zahtev rasti monokristalnega silicija.

1. Izjemna toplotna zmogljivost

Ker se kompozit ogljik-ogljik ponaša z izjemno toplotno odpornostjo in toplotno stabilnostjo, lahko podporne palice za lonček iz kompozita Semicorex C/C zanesljivo delujejo pri temperaturah od 1600 do 2200 ℃ in prenesejo hitre temperaturne spremembe, ne da bi zlahka počile ali se poškodovale.

2. Zanesljiva mehanska trdnost

Kompoziti ogljik-ogljik imajo visoko mehansko trdnost in modul elastičnosti, njihova trdnost pa lahko celo preseže trdnost pri sobni temperaturi v pogojih delovanja pri visokih temperaturah. Ravno zaradi te zanesljive lastnosti lahko nosilne palice Semicorex C/C iz kompozitnega lončka prenesejo težo lončka in veliko količino silicijevega materiala v notranjosti, ne da bi se zlomile.

3.Lahka struktura

Ogljik-ogljik kompozitiimajo manjšo gostoto kot običajni grafitni materiali, kar pomeni, da so bistveno lažji od običajnih grafitnih materialov. Celotno težo podporne palice za lonček Semicorex C/C iz kompozita je mogoče močno zmanjšati zahvaljujoč tej odlični lahki strukturi, ki prinaša udobje pri rokovanju z opremo, zamenjavi in ​​vzdrževanju.

4. Vrhunska odpornost proti koroziji

Med rastjo monokristalnega silicija lahko silicijeva para razjeda komponente znotraj peči za rast monokristalnega silicija. Kompoziti ogljik-ogljik izkazujejo odlično odpornost na korozijo s silicijevimi hlapi, kar omogoča, da podporne palice iz kompozitnega lončka Semicorex C/C ohranijo stabilno strukturno celovitost in dosledno delovanje pri visokih temperaturah in pogojih silicijeve pare.