ALN Enojna kristalna rezina

SEMEMOREX ALN Enojna kristalna rezina je revolucionarni napredek v tehnologiji polprevodnikov, ki ponuja edinstveno kombinacijo izjemnih električnih, toplotnih in mehanskih lastnosti. Kot ultra širok polprevodniški material s pasom s pasom 6,2 eV je ALN vse bolj prepoznan kot optimalni substrat za visoko moč, visokofrekvenčno in globoko ultravijolično (UV) optoelektronske naprave. Te lastnosti sta postavljeni kot vrhunska alternativa tradicionalnim substratom, kot so safir, silicijev karbid (SIC) in galijev nitrid (GAN), zlasti v aplikacijah, ki zahtevajo izjemno toplotno stabilnost, visoko razpadno napetost in vrhunsko toplotno prevodnost.

Trenutno je enotna kristalna rezina ALN komercialno na voljo v velikostih do 2 palca. Ko se nadaljujejo prizadevanja za raziskave in razvoj, se pričakuje, da bo napredovanje tehnologij za kristalne rasti omogočilo večje velikosti rezin, povečalo razširljivost proizvodnje in zmanjšanje stroškov za industrijske aplikacije.

Podobno kot pri rasti posameznih kristalov SIC, tudi enojnih kristalov ALN ni mogoče gojiti po metodi taline, vendar jih lahko gojijo le s fizičnim transport pare (PVT).

Obstajajo tri pomembne strategije rasti za rast ALN Single Crystal Pvt:

1) Rast spontane nukleacije

2) Heteroepitaksialna rast na podlago 4H-/6H-SIC

3) Homoepitaksialna rast

ALN enojne kristalne rezine odlikuje njihov ultra širok pas 6,2 eV, kar zagotavlja izjemno električno izolacijo in neprimerljivo globoko UV zmogljivost. Te rezine se ponašajo z električnim poljem z visokim razpadom, ki presega teren SIC in GAN, pri čemer jih postavlja kot optimalna izbira za elektronske naprave z visoko močjo. Z impresivno toplotno prevodnostjo približno 320 w/mk zagotavljajo učinkovito odvajanje toplote, kar je kritična zahteva za uporabo z veliko močjo. ALN ni samo kemično in toplotno stabilen, ampak tudi ohranja vrhunske zmogljivosti v ekstremnih okoljih. Njegova vrhunska odpornost na sevanje omogoča neprimerljivo možnost za vesoljske in jedrske aplikacije. Poleg tega so njene izjemne piezoelektrične lastnosti, visoka hitrost žage in močna elektromehanska sklopka uveljavljajo kot izjemen kandidat za naprave, filtre in senzorje na ravni GHZ.

ALN Enojna kristalna rezina najde obsežne aplikacije v različnih visokozmogljivih elektronskih in optoelektronskih napravah. Služijo kot idealen substrat za globoko ultravijolično optoelektroniko (DUV), vključno z globokimi UV LED, ki delujejo v območju 200-280 nm za sterilizacijo, čiščenje vode in biomedicinske uporabe, pa tudi UV laserske diode (LDS), ki se uporabljajo v naprednih industrijskih in medicinskih poljih. ALN se pogosto uporablja tudi v elektronskih in visokofrekvenčnih elektronskih napravah, zlasti v radijski frekvenci (RF) in mikrovalovni komponentah, kjer njegova visoka razpadna napetost in nizko razprševanje elektronov zagotavljata vrhunsko delovanje v ojačevalnikih in komunikacijskih sistemih. Poleg tega ima ključno vlogo pri elektronski elektroniki, kar povečuje učinkovitost pretvornikov in pretvornikov v električnih vozilih, sistemih obnovljivih virov energije in vesoljskih aplikacijah. Poleg tega odlične lastnosti piezoelektrične lastnosti ALN in visoka hitrost žage naredijo optimalen material za površinske akustične valov (SAW) in naprave v razsutem stanju akustičnega vala (BAW), ki so bistvene za telekomunikacije, obdelavo signalov in zaznavanje tehnologij. Zaradi izjemne toplotne prevodnosti je ALN tudi ključni material v raztopinah toplotnega upravljanja za LED z visoko močjo, laserske diode in elektronske module, ki zagotavlja učinkovito razprševanje toplote in izboljšanje dolgoživosti naprav.

SEMMEMOREX ALN Enojna kristalna rezina predstavlja prihodnost polprevodniških substratov, ki ponujajo neprimerne električne, toplotne in piezoelektrične lastnosti. Njihove aplikacije v globoki UV optoelectronics, Power Electronics in Acoustic Wave Devices so zelo iskani material za tehnologijo naslednje generacije. Ker se zmogljivosti izdelave še naprej izboljšujejo, bodo ALN rezine postale nepogrešljiva sestavina visokozmogljivih polprevodniških naprav, kar bo utrlo pot inovativnemu napredku v več panogah.