Silicijev karbid (SiC) je material, ki ima visoko vezno energijo, podobno kot drugi trdi materiali, kot sta diamant in kubični borov nitrid. Vendar pa visoka energija vezi SiC otežuje neposredno kristalizacijo v ingote s tradicionalnimi metodami taljenja. Zato postopek gojenja kristalov silicijevega......
Preberi večIndustrija silicijevega karbida vključuje verigo procesov, ki vključujejo ustvarjanje substrata, epitaksialno rast, načrtovanje naprav, proizvodnjo naprav, pakiranje in testiranje. Na splošno se silicijev karbid ustvari kot ingoti, ki se nato narežejo, zmeljejo in polirajo, da nastane substrat iz si......
Preberi večPolprevodniške materiale lahko glede na časovno zaporedje razdelimo v tri generacije. Prva generacija germanija, silicija in drugih običajnih monomaterialov, za katero je značilno priročno preklapljanje, ki se običajno uporablja v integriranih vezjih. Druga generacija galijevega arzenida, indijevega......
Preberi večSilicijev karbid (SiC) ima zaradi svojih odličnih fizikalno-kemijskih lastnosti pomembne aplikacije na področjih, kot so močnostna elektronika, visokofrekvenčne naprave RF in senzorji za okolja, odporna na visoke temperature. Vendar pa operacija rezanja med obdelavo rezin SiC povzroči poškodbe na po......
Preberi večTrenutno se preiskuje več materialov, med katerimi kot eden najbolj obetavnih izstopa silicijev karbid. Podobno kot GaN se ponaša z višjimi delovnimi napetostmi, višjimi prebojnimi napetostmi in vrhunsko prevodnostjo v primerjavi s silicijem. Poleg tega se lahko silicijev karbid zaradi visoke toplot......
Preberi več