Keramika iz silicijevega karbida ponuja številne prednosti v industriji optičnih vlaken, vključno s stabilnostjo pri visokih temperaturah, nizkim koeficientom toplotnega raztezanja, nizkim pragom izgub in poškodb, mehansko trdnostjo, odpornostjo proti koroziji, dobro toplotno prevodnostjo in nizko d......
Preberi večZgodovina silicijevega karbida (SiC) sega v leto 1891, ko ga je Edward Goodrich Acheson po naključju odkril, ko je poskušal sintetizirati umetne diamante. Acheson je v električni peči segreval mešanico gline (aluminosilikata) in koksa v prahu (ogljik). Namesto pričakovanih diamantov je dobil svetlo ......
Preberi večRast kristalov je osrednji člen v proizvodnji substratov iz silicijevega karbida, osrednja oprema pa je peč za rast kristalov. Podobno kot pri tradicionalnih pečeh za rast kristalov iz kristalnega silicija struktura peči ni zelo zapletena in je v glavnem sestavljena iz telesa peči, ogrevalnega siste......
Preberi večPolprevodniški materiali tretje generacije s širokim pasovnim presledkom, kot sta galijev nitrid (GaN) in silicijev karbid (SiC), slovijo po izjemni optoelektronski pretvorbi in zmogljivosti prenosa mikrovalovnega signala. Ti materiali izpolnjujejo zahtevne zahteve visokofrekvenčnih, visokotemperatu......
Preberi večSiC čoln, okrajšava za čoln iz silicijevega karbida, je na visoke temperature odporen pripomoček, ki se uporablja v ceveh peči za prenašanje rezin med visokotemperaturno obdelavo. Zaradi izjemnih lastnosti silicijevega karbida, kot so odpornost na visoke temperature, kemično korozijo in odlična topl......
Preberi večTrenutno večina proizvajalcev SiC substratov uporablja novo zasnovo postopka termičnega polja v lončku s poroznimi grafitnimi valji: postavitev surovin delcev SiC visoke čistosti med steno grafitnega lončka in porozni grafitni valj, medtem ko se celoten lonček poglobi in poveča premer lončka.
Preberi več