Infineon razkrije prvo 300 mm Power GaN rezino na svetu

Pred kratkim je Infineon Technologies objavil uspešen razvoj prve 300-milimetrske tehnologije rezin iz galijevega nitrida (GaN) na svetu. S tem so postali prvo podjetje, ki je obvladalo to prelomno tehnologijo in doseglo množično proizvodnjo v obstoječih obsežnih proizvodnih okoljih z visoko zmogljivostjo. Ta inovacija pomeni pomemben napredek na trgu močnostnih polprevodnikov na osnovi GaN.

Kakšna je tehnologija 300 mm v primerjavi s tehnologijo 200 mm?

V primerjavi z 200-milimetrsko tehnologijo uporaba 300-milimetrskih rezin omogoča proizvodnjo 2,3-krat več GaN čipov na rezino, kar znatno poveča učinkovitost proizvodnje in proizvodnjo. Ta preboj ne le utrjuje vodilni položaj Infineona na področju energetskih sistemov, ampak tudi pospešuje hiter razvoj tehnologije GaN.

Kaj je izvršni direktor Infineona rekel o tem dosežku?

Izvršni direktor Infineon Technologies Jochen Hanebeck je izjavil: »Ta izjemen dosežek dokazuje našo močno moč v inovacijah in je dokaz neusmiljenega truda naše globalne ekipe. Trdno verjamemo, da bo ta tehnološki preboj preoblikoval industrijske norme in sprostil polni potencial tehnologije GaN. Skoraj leto dni po našem nakupu GaN Systems ponovno izkazujemo našo odločenost, da bomo vodilni na hitro rastočem trgu GaN. Kot vodilni na področju energetskih sistemov je Infineon pridobil konkurenčno prednost v treh ključnih materialih: silicij, silicijev karbid in GaN.«

Izvršni direktor Infineona Jochen Hanebeck ima eno prvih 300 mm GaN Power rezin na svetu, proizvedenih v obstoječem in razširljivem proizvodnem okolju velikega obsega.

Zakaj je tehnologija 300 mm GaN ugodna?

Ena od pomembnih prednosti tehnologije 300 mm GaN je, da jo je mogoče proizvesti z uporabo obstoječe opreme za proizvodnjo silicija 300 mm, saj imata GaN in silicij podobnosti v proizvodnih procesih. Ta funkcija omogoča Infineonu, da brezhibno integrira tehnologijo GaN v svoje trenutne proizvodne sisteme, s čimer pospeši sprejemanje in uporabo tehnologije.

Kje je Infineon uspešno izdelal 300 mm GaN rezine?

Trenutno je Infineon uspešno izdelal 300 mm GaN rezine na obstoječih proizvodnih linijah 300 mm silicija v svoji elektrarni v Beljaku v Avstriji. Na podlagi uveljavljenih temeljev tehnologije 200 mm GaN in proizvodnje silicija 300 mm je podjetje še razširilo svoje tehnološke in proizvodne zmogljivosti.

Kaj ta preboj pomeni za prihodnost?

Ta preboj ne samo poudarja Infineonove prednosti v inovacijah in obsežnih proizvodnih zmogljivostih, ampak tudi postavlja trdne temelje za prihodnji razvoj industrije močnostnih polprevodnikov. Ker se tehnologija GaN še naprej razvija, bo Infineon vztrajal pri spodbujanju rasti trga in še dodatno okrepil svoj vodilni položaj v svetovni industriji polprevodnikov.**