Kaj je SiC epitaksija?

Silicijev karbid (SiC) epitaksija je ključna tehnologija na področju polprevodnikov, zlasti za razvoj visokozmogljivih elektronskih naprav. SiC je sestavljeni polprevodnik s širokim pasovnim razmakom, zaradi česar je idealen za aplikacije, ki zahtevajo delovanje pri visokih temperaturah in visoki napetosti.

SiC epitaksija je postopek gojenja tanke plasti kristalnega materiala na substratu, običajno siliciju, z uporabo tehnik nanašanja s kemičnim naparjevanjem (CVD) ali epitaksije z molekularnim žarkom (MBE). Epitaksialna plast ima enako kristalno strukturo in orientacijo kot substrat, kar omogoča oblikovanje visokokakovostnega vmesnika med materialoma.

SiC epitaksija se pogosto uporablja pri razvoju močnostne elektronike, vključno z močnostnimi napravami, kot so diode, tranzistorji in tiristorji. Te naprave se uporabljajo v številnih aplikacijah, kot so električna vozila, sistemi obnovljivih virov energije in napajalniki.

V zadnjih letih se povečuje zanimanje za razvoj SiC epitaksije za izdelavo visokozmogljivih naprav za aplikacije, kot so električna vozila in sistemi obnovljivih virov energije. Pričakuje se, da bo povpraševanje po teh napravah v prihodnjih letih hitro naraslo zaradi potrebe po učinkovitejših in trajnostnih energetskih sistemih.

Kot odgovor na to povpraševanje raziskovalci in podjetja vlagajo v razvoj tehnologije SiC epitaksije, s poudarkom na izboljšanju kakovosti in znižanju stroškov postopka. Nekatera podjetja na primer razvijajo SiC epitaksijo na večjih substratih, da bi zmanjšala stroške na rezino, medtem ko druga raziskujejo nove tehnike za zmanjšanje gostote napak.

SiC epitaksija se uporablja tudi pri razvoju naprednih senzorjev za vrsto aplikacij, vključno z zaznavanjem plina, zaznavanjem temperature in zaznavanjem tlaka. SiC ima edinstvene lastnosti, zaradi katerih je idealen za te aplikacije, kot sta stabilnost pri visokih temperaturah in odpornost na težka okolja.